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Ieee Journal Of The Electron Devices SocietySCIE

國際簡稱：IEEE J ELECTRON DEVI 參考譯名：IEEE電子器件學會雜志

中科院分區
3區
CiteScore分區
Q2
JCR分區
Q3

基本信息：: ISSN：2168-6734; E-ISSN：2168-6734; 是否OA：開放; 是否預警：否; TOP期刊：否

出版信息：: 出版地區：UNITED STATES; 出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.; 出版語言：English; 出版周期：1 issue/year; 出版年份：2013; 研究方向：Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology

評價信息：: 影響因子：2; H-index：23; CiteScore指數：5.2; SJR指數：0.505; SNIP指數：0.955

發文數據：: Gold OA文章占比：97.60%; 研究類文章占比：98.91%; 年發文量：92; 自引率：0.0434...; 開源占比：0.9789; 出版撤稿占比：0; 出版國人文章占比：0.21; OA被引用占比：1

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英文簡介期刊介紹 CiteScore數據中科院SCI分區 JCR分區發文數據常見問題

英文簡介Ieee Journal Of The Electron Devices Society期刊介紹

The IEEE Journal of the Electron Devices Society (J-EDS) is an open-access, fully electronic scientific journal publishing papers ranging from fundamental to applied research that are scientifically rigorous and relevant to electron devices. The J-EDS publishes original and significant contributions relating to the theory, modelling, design, performance, and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanodevices, optoelectronics, photovoltaics, power IC's, and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are, also, published. And, occasionally special issues with a collection of papers on particular areas in more depth and breadth are, also, published. J-EDS publishes all papers that are judged to be technically valid and original.

期刊簡介Ieee Journal Of The Electron Devices Society期刊介紹

《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》自2013出版以來，是一本工程技術優秀雜志。致力于發表原創科學研究結果，并為工程技術各個領域的原創研究提供一個展示平臺，以促進工程技術領域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述，從廣泛的視角提供當前感興趣的研究主題的新見解，或審查多年來某個重要領域的所有重要發展。該期刊特色在于及時報道工程技術領域的最新進展和新發現新突破等。該刊近一年未被列入預警期刊名單，目前已被權威數據庫SCIE收錄，得到了廣泛的認可。

該期刊投稿重要關注點：

預計審稿時間： 9 Weeks
工程技術
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
SCIE
中科院3區
非預警

Cite Score數據（2024年最新版）Ieee Journal Of The Electron Devices Society Cite Score數據

CiteScore：5.2
SJR：0.505
SNIP：0.955

學科類別	分區	排名	百分位
大類：Materials Science 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	90 / 284	68%
大類：Materials Science 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	253 / 797	68%
大類：Materials Science 小類：Biotechnology	Q2	139 / 311	55%

CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發表論文的年篇均引用次數。CiteScore以Scopus數據庫中收集的引文為基礎，針對的是前四年發表的論文的引文。CiteScore的意義在于，它可以為學術界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法，而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。

歷年Cite Score趨勢圖

中科院SCI分區Ieee Journal Of The Electron Devices Society 中科院分區

中科院 2023年12月升級版 綜述期刊：否 Top期刊：否

大類學科	分區	小類學科	分區
工程技術	3區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	4區

中科院分區表 是以客觀數據為基礎，運用科學計量學方法對國際、國內學術期刊依據影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學術期刊影響力的參考數據，得到了全國各地高校、科研機構的廣泛認可。

中科院分區表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區、2區、3區、4區四個層次，類似于“優、良、及格”等。最開始，這個分區只是為了方便圖書管理及圖書情報領域的研究和期刊評估。之后中科院分區逐步發展成為了一種評價學術期刊質量的重要工具。

歷年中科院分區趨勢圖

JCR分區Ieee Journal Of The Electron Devices Society JCR分區

2023-2024 年最新版

按JIF指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	202 / 352	42.8%

按JCI指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	179 / 354	49.58%

JCR分區的優勢在于它可以幫助讀者對學術文獻質量進行評估。不同學科的文章引用量可能存在較大的差異，此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質量可能是存在一定問題的。因此，JCR將期刊按照學科門類和影響因子分為不同的分區，這樣讀者可以根據自己的研究領域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢圖

發文數據

2023-2024 年國家/地區發文量統計

國家/地區數量
CHINA MAINLAND168
USA99
Taiwan98
South Korea74
Japan61
India40
France29
GERMANY (FED REP GER)27
Switzerland23
Belgium20

本刊中國學者近年發表論文

1、Monolithic Dual-Gate E-Mode Device-Based NAND Logic Block for GaN MIS-HEMTs IC Platform
Author: Zhu, Yuhao; Li, Fan; Cui, Miao; Fang, Zhicheng; Li, Ang; Yang, Dongyi; Zhao, Yinchao; Wen, Huiqing; Liu, Wen

Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2023; Vol. 11, Issue , pp. 230-234. DOI: 10.1109/JEDS.2023.3265372
2、New Insights Into Noise Characteristics of Hot Carrier Induced Defects in Polysilicon Emitter Bipolar Junction Transistors and SiGe HBTs
Author: Zhu, Kunfeng; Zhang, Peijian; Xu, Zicheng; Wang, Tao; Yi, Xiaohui; Hong, Min; Yang, Yonghui; Zhang, Guangsheng; Liu, Jian; Wei, Jianan; Pu, Yang; Huang, Dong; Luo, Ting; Chen, Xian; Tang, Xinyue; Tan, Kaizhou; Chen, Wensuo

Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2023; Vol. 11, Issue , pp. 30-35. DOI: 10.1109/JEDS.2023.3239341
3、Cell Design Consideration in SiC Planar IGBT and Proposal of New SiC IGBT With Improved Performance Trade-Off
Author: Zhang, Meng; Zhang, Yamin; Li, Baikui; Feng, Shiwei; Hua, Mengyuan; Tang, Xi; Wei, Jin; Chen, Kevin J.

Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2023; Vol. 11, Issue , pp. 198-203. DOI: 10.1109/JEDS.2023.3259639
4、Impact of Channel Thickness on the NBTI Behaviors in the Ge-OI pMOSFETs With Al2O3/GeOx Gate Stacks
Author: Sun, Yu; Schwarzenbach, Walter; Yuan, Sicong; Chen, Zhuo; Yang, Yanbin; Nguyen, Bich-Yen; Gao, Dawei; Zhang, Rui

Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2023; Vol. 11, Issue , pp. 210-215. DOI: 10.1109/JEDS.2023.3260978
5、Effect of Amorphous Layer at the Heterogeneous Interface on the Device Performance of beta-Ga2O3/Si Schottky Barrier Diodes
Author: Qu, Zhenyu; Xu, Wenhui; You, Tiangui; Shen, Zhenghao; Zhao, Tiancheng; Huang, Kai; Yi, Ailun; Zhang, David Wei; Han, Genquan; Ou, Xin; Hao, Yue

Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2023; Vol. 11, Issue , pp. 135-140. DOI: 10.1109/JEDS.2023.3242968
6、Novel Stacked Passivation Structure for AlGaN/GaN HEMTs on Silicon With High Johnson's Figures of Merit
Author: Liu, Xiaoyi; Qin, Jian; Chen, Jingxiong; Chen, Jianyu; Wang, Hong

Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2023; Vol. 11, Issue , pp. 130-134. DOI: 10.1109/JEDS.2023.3241306
7、RF Overdrive Burnout Behavior and Mechanism Analysis of GaN HEMTs Based on High Speed Camera
Author: Liu, Chang; Liu, Hong Xia; Chen, Yi Qiang; Shi, Yi Jun; Xie, Yu Han; Chen, Si; Lai, Ping; He, Zhi Yuan; Huang, Yun

Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2023; Vol. 11, Issue , pp. 47-53. DOI: 10.1109/JEDS.2023.3239100
8、Current Prospects and Challenges in Negative-Capacitance Field-Effect Transistors
Author: Islam, Md. Sherajul; Mazumder, Abdullah Al Mamun; Zhou, Changjian; Stampfl, Catherine; Park, Jeongwon; Yang, Cary Y. Y.

Journal: IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. 2023; Vol. 11, Issue , pp. 235-247. DOI: 10.1109/JEDS.2023.3267081