當前位置: 首頁 SCI期刊 SCIE期刊 材料科學 中科院3區 JCRQ3 期刊介紹(非官網)
        Silicon

        SiliconSCIE

        國際簡稱:SILICON-NETH  參考譯名:硅

        • 中科院分區

          3區

        • CiteScore分區

          Q2

        • JCR分區

          Q3

        基本信息:
        ISSN:1876-990X
        E-ISSN:1876-9918
        是否OA:未開放
        是否預警:否
        TOP期刊:否
        出版信息:
        出版地區:NETHERLANDS
        出版商:Springer Netherlands
        出版語言:English
        出版周期:18 issues per year
        出版年份:2009
        研究方向:CHEMISTRY, PHYSICAL-MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
        評價信息:
        影響因子:2.8
        H-index:19
        CiteScore指數:5.9
        SJR指數:0.535
        SNIP指數:1.061
        發文數據:
        Gold OA文章占比:2.42%
        研究類文章占比:96.53%
        年發文量:547
        自引率:0.2058...
        開源占比:0.0127
        出版撤稿占比:0.0014...
        出版國人文章占比:0.07
        OA被引用占比:0.0139...
        英文簡介 期刊介紹 CiteScore數據 中科院SCI分區 JCR分區 發文數據 常見問題

        英文簡介Silicon期刊介紹

        The journal Silicon is intended to serve all those involved in studying the role of silicon as an enabling element in materials science. There are no restrictions on disciplinary boundaries provided the focus is on silicon-based materials or adds significantly to the understanding of such materials. Accordingly, such contributions are welcome in the areas of inorganic and organic chemistry, physics, biology, engineering, nanoscience, environmental science, electronics and optoelectronics, and modeling and theory. Relevant silicon-based materials include, but are not limited to, semiconductors, polymers, composites, ceramics, glasses, coatings, resins, composites, small molecules, and thin films.

        期刊簡介Silicon期刊介紹

        《Silicon》自2009出版以來,是一本材料科學優秀雜志。致力于發表原創科學研究結果,并為材料科學各個領域的原創研究提供一個展示平臺,以促進材料科學領域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述,從廣泛的視角提供當前感興趣的研究主題的新見解,或審查多年來某個重要領域的所有重要發展。該期刊特色在于及時報道材料科學領域的最新進展和新發現新突破等。該刊近一年未被列入預警期刊名單,目前已被權威數據庫SCIE收錄,得到了廣泛的認可。

        該期刊投稿重要關注點:

        Cite Score數據(2024年最新版)Silicon Cite Score數據

        • CiteScore:5.9
        • SJR:0.535
        • SNIP:1.061
        學科類別 分區 排名 百分位
        大類:Materials Science 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 81 / 284

        71%

        CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發表論文的年篇均引用次數。CiteScore以Scopus數據庫中收集的引文為基礎,針對的是前四年發表的論文的引文。CiteScore的意義在于,它可以為學術界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法,而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。

        歷年Cite Score趨勢圖

        中科院SCI分區Silicon 中科院分區

        中科院 2023年12月升級版 綜述期刊:否 Top期刊:否
        大類學科 分區 小類學科 分區
        材料科學 3區 CHEMISTRY, PHYSICAL 物理化學 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學:綜合 3區 3區

        中科院分區表 是以客觀數據為基礎,運用科學計量學方法對國際、國內學術期刊依據影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學術期刊影響力的參考數據,得到了全國各地高校、科研機構的廣泛認可。

        中科院分區表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區、2區、3區、4區四個層次,類似于“優、良、及格”等。最開始,這個分區只是為了方便圖書管理及圖書情報領域的研究和期刊評估。之后中科院分區逐步發展成為了一種評價學術期刊質量的重要工具。

        歷年中科院分區趨勢圖

        JCR分區Silicon JCR分區

        2023-2024 年最新版
        按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
        學科:CHEMISTRY, PHYSICAL SCIE Q3 103 / 178

        42.4%

        學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 229 / 438

        47.8%

        按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
        學科:CHEMISTRY, PHYSICAL SCIE Q3 107 / 178

        40.17%

        學科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 255 / 438

        41.89%

        JCR分區的優勢在于它可以幫助讀者對學術文獻質量進行評估。不同學科的文章引用量可能存在較大的差異,此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質量可能是存在一定問題的。因此,JCR將期刊按照學科門類和影響因子分為不同的分區,這樣讀者可以根據自己的研究領域和需求選擇合適的期刊。

        歷年影響因子趨勢圖

        發文數據

        2023-2024 年國家/地區發文量統計
        • 國家/地區數量
        • India602
        • Egypt184
        • Iran169
        • CHINA MAINLAND117
        • Saudi Arabia88
        • Algeria53
        • Turkey40
        • Pakistan30
        • Iraq29
        • Tunisia29

        本刊中國學者近年發表論文

        • 1、Mass Transfer Model of Oriented Silicon Steel Coil during the First Soaking in Annular Furnace

          Author: Xia, Tian; He, Zhu; Xiang, Zhidong; Shen, Xinyi; Li, Weijie

          Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 1, pp. 269-284. DOI: 10.1007/s12633-022-01996-x

        • 2、Carbon Nanotube (10,0) and Silicon Nanotube (7,0) as a Novel Material for Drug Delivery of Substituted Eugenols as Antioxidant Drugs

          Author: Hussein, Shaymaa Abed; Mohammed, Mohanad Adel; Mahdi, Marwah M.; Al Mashhadani, Zuhair, I; Abood, Emad Salaam; Zhao, Xiaoguang

          Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 1, pp. 285-291. DOI: 10.1007/s12633-022-02026-6

        • 3、The Effect of Temperature on Silicon Nucleation from Melt in Seed-assisted Growth - a Molecular Dynamics Study

          Author: Xia, Manyu; Liu, Shilong; Liu, Shuhui; Wu, Jiahui; Gan, Xianglai; Zhou, Naigen

          Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 1, pp. 405-415. DOI: 10.1007/s12633-022-02024-8

        • 4、Study of Xonotlite Whisker Used to Inhibit the High-Temperature Strength Decline of Cementing Cement Stone

          Author: Peng, Zhigang; Chen, Jinxu; Feng, Qian; Zheng, Yong; Zhang, Bojian

          Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 1, pp. 425-436. DOI: 10.1007/s12633-022-02032-8

        • 5、Study of Factors Affecting the Color Fastness of High Depth fiber Dyed in Silicon Non-aqueous Medium Dyeing System

          Author: Luo, Yuni; Cheng, Wenqing; Chen, Wenmiao; Pei, Liujun; Saleem, Muhammad Asad; Cai, Zaisheng; Wang, Jiping

          Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 1, pp. 459-469. DOI: 10.1007/s12633-022-01753-0

        • 6、Effects of Temperature and Si3N4 Diluent on Nitriding of Diamond Wire Silicon Cutting Waste

          Author: Wang, Lijuan; Zhuang, Yanxin; Xing, Pengfei

          Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 1, pp. 521-531. DOI: 10.1007/s12633-022-02005-x

        • 7、Purification of Quartz Via Low-Temperature Microwave Chlorinated Calcination Combined with Acid Leaching and its Mechanism

          Author: Song, Wangfeng; Jiang, Xuesong; Chen, Chen; Ban, Boyuan; Wan, Songming; Chen, Jian

          Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 2, pp. 971-981. DOI: 10.1007/s12633-022-01749-w

        • 8、Thermodynamic Analysis of Dissolved Oxygen in a Silicon Melt and the Effect of Processing Parameters on the Oxygen Distribution in Single-crystal Silicon During Czochralski Growth

          Author: Li, Tai; Zhao, Liang; Lv, Guoqiang; Ma, Wenhui; Zhang, Mengyu; Huang, Zhenling

          Journal: SILICON. 2023; Vol. 15, Issue 2, pp. 1049-1062. DOI: 10.1007/s12633-022-02059-x

        投稿常見問題

        通訊方式:VAN GODEWIJCKSTRAAT 30, DORDRECHT, NETHERLANDS, 3311 GZ。

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