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Journal Of Computational ElectronicsSCIE

國際簡稱：J COMPUT ELECTRON 參考譯名：計算電子學雜志

中科院分區
4區
CiteScore分區
Q2
JCR分區
Q3

基本信息：: ISSN：1569-8025; E-ISSN：1572-8137; 是否OA：未開放; 是否預警：否; TOP期刊：否

出版信息：: 出版地區：UNITED STATES; 出版商：Springer US; 出版語言：English; 出版周期：6 issues per year; 出版年份：2002; 研究方向：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC-PHYSICS, APPLIED

評價信息：: 影響因子：2.2; H-index：27; CiteScore指數：4.5; SJR指數：0.294; SNIP指數：0.824

發文數據：: Gold OA文章占比：8.61%; 研究類文章占比：100.00%; 年發文量：117; 自引率：0.0476...; 開源占比：0.0676; 出版撤稿占比：0.0053...; 出版國人文章占比：0.08; OA被引用占比：0.025

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英文簡介期刊介紹 CiteScore數據中科院SCI分區 JCR分區發文數據常見問題

英文簡介Journal Of Computational Electronics期刊介紹

he Journal of Computational Electronics brings together research on all aspects of modeling and simulation of modern electronics. This includes optical, electronic, mechanical, and quantum mechanical aspects, as well as research on the underlying mathematical algorithms and computational details. The related areas of energy conversion/storage and of molecular and biological systems, in which the thrust is on the charge transport, electronic, mechanical, and optical properties, are also covered.

In particular, we encourage manuscripts dealing with device simulation; with optical and optoelectronic systems and photonics; with energy storage (e.g. batteries, fuel cells) and harvesting (e.g. photovoltaic), with simulation of circuits, VLSI layout, logic and architecture (based on, for example, CMOS devices, quantum-cellular automata, QBITs, or single-electron transistors); with electromagnetic simulations (such as microwave electronics and components); or with molecular and biological systems. However, in all these cases, the submitted manuscripts should explicitly address the electronic properties of the relevant systems, materials, or devices and/or present novel contributions to the physical models, computational strategies, or numerical algorithms.

期刊簡介Journal Of Computational Electronics期刊介紹

《Journal Of Computational Electronics》自2002出版以來，是一本工程技術優秀雜志。致力于發表原創科學研究結果，并為工程技術各個領域的原創研究提供一個展示平臺，以促進工程技術領域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述，從廣泛的視角提供當前感興趣的研究主題的新見解，或審查多年來某個重要領域的所有重要發展。該期刊特色在于及時報道工程技術領域的最新進展和新發現新突破等。該刊近一年未被列入預警期刊名單，目前已被權威數據庫SCIE收錄，得到了廣泛的認可。

該期刊投稿重要關注點：

預計審稿時間： 12周，或約稿
工程技術
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
SCIE
中科院4區
非預警

Cite Score數據（2024年最新版）Journal Of Computational Electronics Cite Score數據

CiteScore：4.5
SJR：0.294
SNIP：0.824

學科類別	分區	排名	百分位
大類：Mathematics 小類：Modeling and Simulation	Q2	89 / 324	72%
大類：Mathematics 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	295 / 797	63%
大類：Mathematics 小類：Atomic and Molecular Physics, and Optics	Q2	91 / 224	59%
大類：Mathematics 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	121 / 284	57%

CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發表論文的年篇均引用次數。CiteScore以Scopus數據庫中收集的引文為基礎，針對的是前四年發表的論文的引文。CiteScore的意義在于，它可以為學術界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法，而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。

歷年Cite Score趨勢圖

中科院SCI分區Journal Of Computational Electronics 中科院分區

中科院 2023年12月升級版 綜述期刊：否 Top期刊：否

大類學科	分區	小類學科	分區
工程技術	4區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	4區 4區

中科院分區表 是以客觀數據為基礎，運用科學計量學方法對國際、國內學術期刊依據影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學術期刊影響力的參考數據，得到了全國各地高校、科研機構的廣泛認可。

中科院分區表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區、2區、3區、4區四個層次，類似于“優、良、及格”等。最開始，這個分區只是為了方便圖書管理及圖書情報領域的研究和期刊評估。之后中科院分區逐步發展成為了一種評價學術期刊質量的重要工具。

歷年中科院分區趨勢圖

JCR分區Journal Of Computational Electronics JCR分區

2023-2024 年最新版

按JIF指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	183 / 352	48.2%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	104 / 179	42.2%

按JCI指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	190 / 354	46.47%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	100 / 179	44.41%

JCR分區的優勢在于它可以幫助讀者對學術文獻質量進行評估。不同學科的文章引用量可能存在較大的差異，此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質量可能是存在一定問題的。因此，JCR將期刊按照學科門類和影響因子分為不同的分區，這樣讀者可以根據自己的研究領域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢圖

發文數據

2023-2024 年國家/地區發文量統計

國家/地區數量
India191
Iran91
CHINA MAINLAND52
USA50
Algeria36
Saudi Arabia20
Bangladesh16
GERMANY (FED REP GER)13
Pakistan11
Tunisia11

本刊中國學者近年發表論文

1、Exploring the electrical performance of advanced and environmental-friendly novel nanomaterial wires in generator winding through finite element analysis
Author: Hassan, Atazaz; Chen Quanfang; Abbas, Sajid; Akbar, Hussain; Luo Youming; Liu Jie

Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 1, pp. 17-28. DOI: 10.1007/s10825-022-01965-y
2、Ab-initio characterization of iron-embedded nitrogen-doped graphene as a toxic gas sensor
Author: Nosheen, Uzma; Jalil, Abdul; Ilyas, Syed Zafar; Ahmed, Sarfraz; Illahi, Ahsan; Rafiq, Muhammad Aftab

Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 1, pp. 116-127. DOI: 10.1007/s10825-022-01977-8
3、Efficient modeling approach for simulating multi-physics responses of an ion-sensitive field-effect transistor using artificial neural networks
Author: Xie, Jianan; Zhou, Yuanguo; Liang, Bingyang; Ren, Qiang; Javaid, Fawad

Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 1, pp. 242-249. DOI: 10.1007/s10825-022-01979-6
4、Critical parameters of gate control in NC-FinFET on GaAs
Author: Li, Henghui; Jia, Tingting; Zhang, Chong; Yu, Ziwei; Guo, Quansheng; Zhao, Hongyang; Jia, Chunyang; Yu, Shuhui; Sun, Rong

Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 1, pp. 164-177. DOI: 10.1007/s10825-022-01957-y
5、Velocity-field characteristics of MgxZn1-xO/ZnO heterostructures
Author: Liu, DongFeng

Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 2, pp. 603-611. DOI: 10.1007/s10825-022-01999-2
6、Storm surge level prediction based on improved NARX neural network
Author: Li, Lianbo; Wu, Wenhao; Zhang, Wenjun; Zhu, Zhenyu; Li, Zhengqian; Wang, Yihan; Niu, Sen

Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 2, pp. 783-804. DOI: 10.1007/s10825-023-02005-z
7、Ultrahigh FOM and multiple Fano resonances in MIM waveguide systems with half-ring and rectangular cavities
Author: Wang, Yunyan; Huo, Yiping; Cui, Pengfei; Song, Meina; Zhao, Chen; Liao, Zuxiong; Liu, Tong; Zhang, Zhongyue; Xie, You

Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. 22, Issue 3, pp. 839-848. DOI: 10.1007/s10825-023-02022-y
8、Nonlocalization of singular potentials in quantum dynamics
Author: Shao, Sihong; Su, Lili

Journal: JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1007/s10825-023-02042-8