當前位置：首頁 SCI期刊 SCIE期刊物理與天體物理中科院4區 JCRQ3 期刊介紹(非官網)

Solid-state ElectronicsSCIE

國際簡稱：SOLID STATE ELECTRON 參考譯名：固態電子

中科院分區
4區
CiteScore分區
Q3
JCR分區
Q3

基本信息：: ISSN：0038-1101; E-ISSN：1879-2405; 是否OA：未開放; 是否預警：否; TOP期刊：否

出版信息：: 出版地區：UNITED STATES; 出版商：Elsevier Ltd; 出版語言：English; 出版周期：Monthly; 出版年份：1960; 研究方向：物理-工程：電子與電氣

評價信息：: 影響因子：1.4; H-index：87; CiteScore指數：3; SJR指數：0.348; SNIP指數：0.655

發文數據：: Gold OA文章占比：18.40%; 研究類文章占比：99.43%; 年發文量：175; 自引率：0.0588...; 開源占比：0.0803; 出版撤稿占比：0; 出版國人文章占比：0.16; OA被引用占比：0.0126...

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英文簡介期刊介紹 CiteScore數據中科院SCI分區 JCR分區發文數據常見問題

英文簡介Solid-state Electronics期刊介紹

It is the aim of this journal to bring together in one publication outstanding papers reporting new and original work in the following areas: (1) applications of solid-state physics and technology to electronics and optoelectronics, including theory and device design; (2) optical, electrical, morphological characterization techniques and parameter extraction of devices; (3) fabrication of semiconductor devices, and also device-related materials growth, measurement and evaluation; (4) the physics and modeling of submicron and nanoscale microelectronic and optoelectronic devices, including processing, measurement, and performance evaluation; (5) applications of numerical methods to the modeling and simulation of solid-state devices and processes; and (6) nanoscale electronic and optoelectronic devices, photovoltaics, sensors, and MEMS based on semiconductor and alternative electronic materials; (7) synthesis and electrooptical properties of materials for novel devices.

期刊簡介Solid-state Electronics期刊介紹

《Solid-state Electronics》自1960出版以來，是一本物理與天體物理優秀雜志。致力于發表原創科學研究結果，并為物理與天體物理各個領域的原創研究提供一個展示平臺，以促進物理與天體物理領域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述，從廣泛的視角提供當前感興趣的研究主題的新見解，或審查多年來某個重要領域的所有重要發展。該期刊特色在于及時報道物理與天體物理領域的最新進展和新發現新突破等。該刊近一年未被列入預警期刊名單，目前已被權威數據庫SCIE收錄，得到了廣泛的認可。

該期刊投稿重要關注點：

預計審稿時間：一般,3-6周約9.2周
物理與天體物理
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
SCIE
中科院4區
非預警

Cite Score數據（2024年最新版）Solid-state Electronics Cite Score數據

CiteScore：3
SJR：0.348
SNIP：0.655

學科類別	分區	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q3	419 / 797	47%
大類：Engineering 小類：Condensed Matter Physics	Q3	245 / 434	43%
大類：Engineering 小類：Materials Chemistry	Q3	182 / 317	42%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q3	169 / 284	40%

CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發表論文的年篇均引用次數。CiteScore以Scopus數據庫中收集的引文為基礎，針對的是前四年發表的論文的引文。CiteScore的意義在于，它可以為學術界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法，而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。

歷年Cite Score趨勢圖

中科院SCI分區Solid-state Electronics 中科院分區

中科院 2023年12月升級版 綜述期刊：否 Top期刊：否

大類學科	分區	小類學科	分區
物理與天體物理	4區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態物理	4區 4區 4區

中科院分區表 是以客觀數據為基礎，運用科學計量學方法對國際、國內學術期刊依據影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學術期刊影響力的參考數據，得到了全國各地高校、科研機構的廣泛認可。

中科院分區表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區、2區、3區、4區四個層次，類似于“優、良、及格”等。最開始，這個分區只是為了方便圖書管理及圖書情報領域的研究和期刊評估。之后中科院分區逐步發展成為了一種評價學術期刊質量的重要工具。

歷年中科院分區趨勢圖

JCR分區Solid-state Electronics JCR分區

2023-2024 年最新版

按JIF指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	259 / 352	26.6%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q4	138 / 179	23.2%
學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q4	61 / 79	23.4%

按JCI指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	261 / 354	26.41%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	133 / 179	25.98%
學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q3	54 / 79	32.28%

JCR分區的優勢在于它可以幫助讀者對學術文獻質量進行評估。不同學科的文章引用量可能存在較大的差異，此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質量可能是存在一定問題的。因此，JCR將期刊按照學科門類和影響因子分為不同的分區，這樣讀者可以根據自己的研究領域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢圖

發文數據

2023-2024 年國家/地區發文量統計

國家/地區數量
South Korea131
CHINA MAINLAND104
France76
USA53
GERMANY (FED REP GER)36
India24
Spain21
England17
Belgium16
Japan16

本刊中國學者近年發表論文

1、Monolithic TCAD simulation of phase-change memory (PCM/PRAM) plus Ovonic Threshold Switch (OTS) selector device
Author: Thesberg, M.; Stanojevic, Z.; Baumgartner, O.; Kernstock, C.; Leonelli, D.; Barci, M.; Wang, X.; Zhou, X.; Jiao, H.; Donadio, G. L.; Garbin, D.; Witters, T.; Kundu, S.; Hody, H.; Delhougne, R.; Kar, G.; Karner, M.

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108504
2、New insights into the effect of spatially distributed polarization in ferroelectric FET on content addressable memory operation for machine learning applications
Author: Su, Chang; Xu, Weikai; Zhang, Lining; Huang, Ru; Huang, Qianqian

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108495
3、Analysis of uniaxial stress impact on drift velocity of 4H-SiC by full-band Monte Carlo simulation
Author: Nishimura, T.; Eikyu, K.; Sonoda, K.; Ogata, T.

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108503
4、Investigation on holding voltage of asymmetric DDSCR with floating heavy doping in 0.18?m CMOS process
Author: Guan, Wenjie; Wang, Yang; Deng, Zhiqin; Yu, Bo; Chen, Xijun; Jin, Xiangliang; Yang, Hongjiao

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108486
5、On the feasibility of DoS-engineering for achieving sub-60 mV subthreshold slope in MOSFETs
Author: Gonzalez-Medina, Jose Maria; Stanojevic, Zlatan; Hou, Zhaozhao; Zhang, Qiang; Li, Wei; Xu, Jeffrei; Karner, Markus

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108494
6、Lumped-parameter equivalent circuit modeling of solar cells with S-shaped I-V characteristics
Author: Fei Yu, Gongyi Huang, Wei Lin, Chuanzhong Xu, Wanling Deng, Xiaoyu Ma, Junkai Huang

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.029
7、Improved performance of fully-recessed normally-off LPCVD SiN/GaN MISFET using N2O plasma pretreatment
Author: Mengjun Li, Jinyan Wang, Hongyue Wang, Qirui Cao, Jingqian Liu, Chengyu Huang

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.067
8、SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heterostructures: in situ fabrication and enhanced gas sensing performance
Author: Kunquan Chen, Shijian Chen, Mingyu Pi, Dingke Zhang

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.024