當前位置: 首頁 SCI期刊 SCIE期刊 物理與天體物理 中科院4區 JCRQ4 期刊介紹(非官網)
        Semiconductors

        SemiconductorsSCIE

        國際簡稱:SEMICONDUCTORS+  參考譯名:半導體

        • 中科院分區

          4區

        • CiteScore分區

          Q4

        • JCR分區

          Q4

        基本信息:
        ISSN:1063-7826
        E-ISSN:1090-6479
        是否OA:未開放
        是否預警:否
        TOP期刊:否
        出版信息:
        出版地區:RUSSIA
        出版商:Pleiades Publishing
        出版語言:English
        出版周期:Monthly
        出版年份:1997
        研究方向:物理-物理:凝聚態物理
        評價信息:
        影響因子:0.6
        H-index:37
        CiteScore指數:1.5
        SJR指數:0.173
        SNIP指數:0.314
        發文數據:
        Gold OA文章占比:0.00%
        研究類文章占比:100.00%
        年發文量:90
        自引率:0.2857...
        開源占比:0
        出版撤稿占比:0
        出版國人文章占比:0
        OA被引用占比:0
        英文簡介 期刊介紹 CiteScore數據 中科院SCI分區 JCR分區 發文數據 常見問題

        英文簡介Semiconductors期刊介紹

        Publishes the most important work in semiconductor research in the countries of the former Soviet Union. Covers semiconductor theory, transport phenomena in semiconductors, optics, magnetooptics, and electrooptics of semiconductors, semiconductor lasers and semiconductor surface physics. The journal features an extensive book review section.

        期刊簡介Semiconductors期刊介紹

        《Semiconductors》自1997出版以來,是一本物理與天體物理優秀雜志。致力于發表原創科學研究結果,并為物理與天體物理各個領域的原創研究提供一個展示平臺,以促進物理與天體物理領域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述,從廣泛的視角提供當前感興趣的研究主題的新見解,或審查多年來某個重要領域的所有重要發展。該期刊特色在于及時報道物理與天體物理領域的最新進展和新發現新突破等。該刊近一年未被列入預警期刊名單,目前已被權威數據庫SCIE收錄,得到了廣泛的認可。

        該期刊投稿重要關注點:

        Cite Score數據(2024年最新版)Semiconductors Cite Score數據

        • CiteScore:1.5
        • SJR:0.173
        • SNIP:0.314
        學科類別 分區 排名 百分位
        大類:Materials Science 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q4 222 / 284

        22%

        大類:Materials Science 小類:Condensed Matter Physics Q4 340 / 434

        21%

        大類:Materials Science 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q4 176 / 224

        21%

        CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發表論文的年篇均引用次數。CiteScore以Scopus數據庫中收集的引文為基礎,針對的是前四年發表的論文的引文。CiteScore的意義在于,它可以為學術界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法,而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。

        歷年Cite Score趨勢圖

        中科院SCI分區Semiconductors 中科院分區

        中科院 2023年12月升級版 綜述期刊:否 Top期刊:否
        大類學科 分區 小類學科 分區
        物理與天體物理 4區 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態物理 4區

        中科院分區表 是以客觀數據為基礎,運用科學計量學方法對國際、國內學術期刊依據影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學術期刊影響力的參考數據,得到了全國各地高校、科研機構的廣泛認可。

        中科院分區表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區、2區、3區、4區四個層次,類似于“優、良、及格”等。最開始,這個分區只是為了方便圖書管理及圖書情報領域的研究和期刊評估。之后中科院分區逐步發展成為了一種評價學術期刊質量的重要工具。

        歷年中科院分區趨勢圖

        JCR分區Semiconductors JCR分區

        2023-2024 年最新版
        按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
        學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 74 / 79

        7%

        按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
        學科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 74 / 79

        6.96%

        JCR分區的優勢在于它可以幫助讀者對學術文獻質量進行評估。不同學科的文章引用量可能存在較大的差異,此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質量可能是存在一定問題的。因此,JCR將期刊按照學科門類和影響因子分為不同的分區,這樣讀者可以根據自己的研究領域和需求選擇合適的期刊。

        歷年影響因子趨勢圖

        本刊中國學者近年發表論文

        • 1、Aligned arrays of zinc oxide nanorods on silicon substrates

          Author: A. N. Redkin, M. V. Ryzhova, E. E. Yakimov, A. N. Gruzintsev

          Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 252-258, DOI:10.1134/s1063782613020176

        • 2、Procedure for calculating the field-emission current from a single carbon nanotube

          Author: S. V. Bulyarskii, A. V. Lakalin, A. S. Basaev

          Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 1692-1696, DOI:10.1134/s1063782613130058

        • 3、Study of heterostructures with a combined In(Ga)As/GaAs quantum dot/quantum well layer and a Mn δ layer

          Author: E. D. Pavlova, A. P. Gorshkov, A. I. Bobrov, N. V. Malekhonova, B. N. Zvonkov

          Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 1591-1594, DOI:10.1134/s1063782613120166

        • 4、Charge transport mechanisms in Schottky diodes based on low-resistance CdTe:Mn

          Author: L. A. Kosyachenko, N. S. Yurtsenyuk, I. M. Rarenko, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, Z. I. Zakharuk, E. V. Grushko

          Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 916-924, DOI:10.1134/s1063782613070129

        • 5、Characterization of defects in colloidal CdSe nanocrystals by the modified thermostimulated luminescence technique

          Author: A. V. Katsaba, V. V. Fedyanin, S. A. Ambrozevich, A. G. Vitukhnovsky, A. N. Lobanov, A. S. Selyukov, R. B. Vasiliev, I. G. Samatov, P. N. Brunkov

          Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 1328-1332, DOI:10.1134/s1063782613100138

        • 6、Growth model of silicon nanoislands on sapphire

          Author: N. O. Krivulin, D. A. Pavlov, P. A. Shilyaev

          Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 1595-1597, DOI:10.1134/s1063782613120117

        • 7、Picosecond internal Q-switching mode correlates with laser diode breakdown voltage

          Author: B. Lanz, S. N. Vainshtein, V. M. Lantratov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, J. T. Kostamovaara

          Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 406-408, DOI:10.1134/s1063782613030159

        • 8、Photoconductivity of composite structures based on porous SnO2 sensitized with CdSe nanocrystals

          Author: K. A. Drozdov, V. I. Kochnev, A. A. Dobrovolsky, R. B. Vasiliev, A. V. Babynina, M. N. Rumyantseva, A. M. Gaskov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov

          Journal: SEMICONDUCTORS, 2013, Vol.47, 383-386, DOI:10.1134/s106378261303007x

        投稿常見問題

        通訊方式:MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 233 SPRING ST, NEW YORK, USA, NY, 10013-1578。

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