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Semiconductor Science And TechnologySCIE

國際簡稱：SEMICOND SCI TECH 參考譯名：半導體科技

中科院分區(qū)
4區(qū)
CiteScore分區(qū)
Q2
JCR分區(qū)
Q3

基本信息：: ISSN：0268-1242; E-ISSN：1361-6641; 是否OA：未開放; 是否預警：否; TOP期刊：否

出版信息：: 出版地區(qū)：ENGLAND; 出版商：IOP Publishing Ltd.; 出版語言：English; 出版周期：Monthly; 出版年份：1986; 研究方向：工程技術-材料科學：綜合

評價信息：: 影響因子：1.9; H-index：99; CiteScore指數(shù)：4.3; SJR指數(shù)：0.411; SNIP指數(shù)：0.741

發(fā)文數(shù)據(jù)：: Gold OA文章占比：10.23%; 研究類文章占比：95.85%; 年發(fā)文量：193; 自引率：0.0526...; 開源占比：0.0715; 出版撤稿占比：0; 出版國人文章占比：0.19; OA被引用占比：0.0493...

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英文簡介期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見問題

英文簡介Semiconductor Science And Technology期刊介紹

Devoted to semiconductor research, Semiconductor Science and Technology's multidisciplinary approach reflects the far-reaching nature of this topic.

The scope of the journal covers fundamental and applied experimental and theoretical studies of the properties of non-organic, organic and oxide semiconductors, their interfaces and devices, including:

fundamental properties

materials and nanostructures

devices and applications

fabrication and processing

new analytical techniques

simulation

emerging fields:

materials and devices for quantum technologies

hybrid structures and devices

2D and topological materials

metamaterials

semiconductors for energy

flexible electronics.

期刊簡介Semiconductor Science And Technology期刊介紹

《Semiconductor Science And Technology》自1986出版以來，是一本工程技術優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學研究結果，并為工程技術各個領域的原創(chuàng)研究提供一個展示平臺，以促進工程技術領域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述，從廣泛的視角提供當前感興趣的研究主題的新見解，或審查多年來某個重要領域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時報道工程技術領域的最新進展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預警期刊名單，目前已被權威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄，得到了廣泛的認可。

該期刊投稿重要關注點：

預計審稿時間：一般,3-6周
工程技術
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
SCIE
中科院4區(qū)
非預警

Cite Score數(shù)據(jù)（2024年最新版）Semiconductor Science And Technology Cite Score數(shù)據(jù)

CiteScore：4.3
SJR：0.411
SNIP：0.741

學科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	305 / 797	61%
大類：Engineering 小類：Condensed Matter Physics	Q2	167 / 434	61%
大類：Engineering 小類：Materials Chemistry	Q2	137 / 317	56%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	126 / 284	55%

CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫中收集的引文為基礎，針對的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于，它可以為學術界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法，而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標來評價。

歷年Cite Score趨勢圖

中科院SCI分區(qū)Semiconductor Science And Technology 中科院分區(qū)

中科院 2023年12月升級版 綜述期刊：否 Top期刊：否

大類學科	分區(qū)	小類學科	分區(qū)
工程技術	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎，運用科學計量學方法對國際、國內學術期刊依據(jù)影響力進行等級劃分的期刊評價標準。它為我國科研、教育機構的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學術期刊影響力的參考數(shù)據(jù)，得到了全國各地高校、科研機構的廣泛認可。

中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個層次，類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開始，這個分區(qū)只是為了方便圖書管理及圖書情報領域的研究和期刊評估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評價學術期刊質量的重要工具。

歷年中科院分區(qū)趨勢圖

JCR分區(qū)Semiconductor Science And Technology JCR分區(qū)

2023-2024 年最新版

按JIF指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	211 / 352	40.2%
學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	301 / 438	31.4%
學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q3	50 / 79	37.3%

按JCI指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	238 / 354	32.91%
學科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	293 / 438	33.22%
學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q3	51 / 79	36.08%

JCR分區(qū)的優(yōu)勢在于它可以幫助讀者對學術文獻質量進行評估。不同學科的文章引用量可能存在較大的差異，此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質量可能是存在一定問題的。因此，JCR將期刊按照學科門類和影響因子分為不同的分區(qū)，這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢圖

發(fā)文數(shù)據(jù)

2023-2024 年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計

國家/地區(qū)數(shù)量
CHINA MAINLAND257
USA139
India121
GERMANY (FED REP GER)95
South Korea90
England64
Japan64
France55
Russia52
Taiwan31

本刊中國學者近年發(fā)表論文

1、Sub-band gap infrared absorption in Si implanted with Mg
Author: Wang, Mao; Shaikh, M. S.; Kentsch, U.; Heller, R.; Zhou, Shengqiang

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca3ca
2、Emission and capture characteristics of electron trap (E-emi=0.8 eV) in Si-doped beta-Ga2O3 epilayer
Author: Qu, Haolan; Chen, Jiaxiang; Zhang, Yu; Sui, Jin; Gu, Yitian; Deng, Yuxin; Su, Danni; Zhang, Ruohan; Lu, Xing; Zou, Xinbo

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca045
3、Straightforward synthesis and mechanism insight of TiO2/a'-AgVO3 heterostructure with enhanced photocatalytic activity
Author: Liu, Yangbin; Liu, Nian; Lin, Minghua; Zhou, Yun; Ouyang, Xiaoping

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca625
4、The interplay of process parameters and influence on the AlN films on sapphire fabricated by DC magnetron sputtering and annealing
Author: Liu, Huan; Guo, Wei

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca8ca
5、Low-temperature in situ deposited CuI-based hole-transporter for perovskite solar cells efficiency enhancement
Author: Li, Hang; Fu, Chao; Shi, Lei; Li, Chaorong; Pan, Jiaqi; Zhang, Wenjun

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca3c9
6、Design of the GaN based CAVET with SiO2-InGaN hybrid current blocking layer
Author: Li, Haiou; Kang, Dongxu; Qu, Kangchun; Liu, Xingpeng; Wan, Rongqiao

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca626
7、In-situ deposition of tungsten oxide hole-contact by Hot-Wire CVD and its application in dopant-free heterojunction solar cells
Author: Guo, Cong; Li, Junjun; Liu, Run; Zhang, Dongdong; Qiu, Junyang; Zhuang, Zihan; Chen, Yang; Qiu, Qingqing; Liu, Wenzhu; Huang, Yuelong; Yu, Jian; Chen, Tao

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca5ac
8、Investigation of thermal stability and crystallization mechanism of Er-0.03(GeTe)(0.97) phase change material
Author: Gu, Han; Wu, Weihua; Xu, Shengqing; Zhou, Xiaochen; Shen, Bo; Zhai, Jiwei

Journal: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2023; Vol. 38, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1088/1361-6641/aca520