當(dāng)前位置：首頁(yè) SCI期刊 SCIE期刊工程技術(shù) 中科院2區(qū) JCRQ2 期刊介紹(非官網(wǎng))

Ieee Electron Device LettersSCIE

國(guó)際簡(jiǎn)稱：IEEE ELECTR DEVICE L 參考譯名：IEEE 電子器件字母

中科院分區(qū)
2區(qū)
CiteScore分區(qū)
Q1
JCR分區(qū)
Q2

基本信息：: ISSN：0741-3106; E-ISSN：1558-0563; 是否OA：未開(kāi)放; 是否預(yù)警：否; TOP期刊：是

出版信息：: 出版地區(qū)：UNITED STATES; 出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.; 出版語(yǔ)言：English; 出版周期：Monthly; 出版年份：1980; 研究方向：工程技術(shù)-工程：電子與電氣

評(píng)價(jià)信息：: 影響因子：4.1; H-index：135; CiteScore指數(shù)：8.2; SJR指數(shù)：1.25; SNIP指數(shù)：1.5

發(fā)文數(shù)據(jù)：: Gold OA文章占比：4.62%; 研究類文章占比：100.00%; 年發(fā)文量：477; 自引率：0.1020...; 開(kāi)源占比：0.057; 出版撤稿占比：0; 出版國(guó)人文章占比：0.35; OA被引用占比：0

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英文簡(jiǎn)介期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見(jiàn)問(wèn)題

英文簡(jiǎn)介Ieee Electron Device Letters期刊介紹

IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.

期刊簡(jiǎn)介Ieee Electron Device Letters期刊介紹

《Ieee Electron Device Letters》自1980出版以來(lái)，是一本工程技術(shù)優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學(xué)研究結(jié)果，并為工程技術(shù)各個(gè)領(lǐng)域的原創(chuàng)研究提供一個(gè)展示平臺(tái)，以促進(jìn)工程技術(shù)領(lǐng)域的的進(jìn)步。該刊鼓勵(lì)先進(jìn)的、清晰的闡述，從廣泛的視角提供當(dāng)前感興趣的研究主題的新見(jiàn)解，或?qū)彶槎嗄陙?lái)某個(gè)重要領(lǐng)域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時(shí)報(bào)道工程技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預(yù)警期刊名單，目前已被權(quán)威數(shù)據(jù)庫(kù)SCIE收錄，得到了廣泛的認(rèn)可。

該期刊投稿重要關(guān)注點(diǎn)：

預(yù)計(jì)審稿時(shí)間：約1.3個(gè)月
國(guó)際TOP期刊
工程技術(shù)
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
SCIE
中科院2區(qū)
非預(yù)警

Cite Score數(shù)據(jù)（2024年最新版）Ieee Electron Device Letters Cite Score數(shù)據(jù)

CiteScore：8.2
SJR：1.25
SNIP：1.5

學(xué)科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q1	128 / 797	84%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q1	51 / 284	82%

CiteScore 是由Elsevier(愛(ài)思唯爾)推出的另一種評(píng)價(jià)期刊影響力的文獻(xiàn)計(jì)量指標(biāo)。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)中收集的引文為基礎(chǔ)，針對(duì)的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于，它可以為學(xué)術(shù)界提供一種新的、更全面、更客觀地評(píng)價(jià)期刊影響力的方法，而不僅僅是通過(guò)影響因子(IF)這一單一指標(biāo)來(lái)評(píng)價(jià)。

歷年Cite Score趨勢(shì)圖

中科院SCI分區(qū)Ieee Electron Device Letters 中科院分區(qū)

中科院 2023年12月升級(jí)版 綜述期刊：否 Top期刊：否

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)
工程技術(shù)	2區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū)

中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)，運(yùn)用科學(xué)計(jì)量學(xué)方法對(duì)國(guó)際、國(guó)內(nèi)學(xué)術(shù)期刊依據(jù)影響力進(jìn)行等級(jí)劃分的期刊評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。它為我國(guó)科研、教育機(jī)構(gòu)的管理人員、科研工作者提供了一份評(píng)價(jià)國(guó)際學(xué)術(shù)期刊影響力的參考數(shù)據(jù)，得到了全國(guó)各地高校、科研機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。

中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標(biāo)劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個(gè)層次，類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開(kāi)始，這個(gè)分區(qū)只是為了方便圖書(shū)管理及圖書(shū)情報(bào)領(lǐng)域的研究和期刊評(píng)估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的重要工具。

歷年中科院分區(qū)趨勢(shì)圖

JCR分區(qū)Ieee Electron Device Letters JCR分區(qū)

2023-2024 年最新版

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	94 / 352	73.4%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q1	77 / 354	78.39%

JCR分區(qū)的優(yōu)勢(shì)在于它可以幫助讀者對(duì)學(xué)術(shù)文獻(xiàn)質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估。不同學(xué)科的文章引用量可能存在較大的差異，此時(shí)單獨(dú)依靠影響因子(IF)評(píng)價(jià)期刊的質(zhì)量可能是存在一定問(wèn)題的。因此，JCR將期刊按照學(xué)科門類和影響因子分為不同的分區(qū)，這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領(lǐng)域和需求選擇合適的期刊。

歷年影響因子趨勢(shì)圖

發(fā)文數(shù)據(jù)

2023-2024 年國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計(jì)

國(guó)家/地區(qū)數(shù)量
CHINA MAINLAND577
USA282
South Korea174
Taiwan123
Japan65
England60
India49
Belgium37
GERMANY (FED REP GER)37
France32

本刊中國(guó)學(xué)者近年發(fā)表論文

1、Development of a Cesium Vapor MEMS Cell for Differential Measurement of Microwave Electromagnetically Induced Transparency
Author: Zhu, Jingtong; Zhao, Rui; Li, Zhonghao; Hao, Desheng; Zu, Kaixuan; Shi, Yunbo; Tang, Jun; Liu, Jun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 132-135. DOI: 10.1109/LED.2022.3219922
2、Ultradense One-Memristor Ternary-Content-Addressable Memory Based on Ferroelectric Diodes
Author: Zhang, Zhaohao; Zhang, Fan; Zhang, Yadong; Xu, Gaobo; Wu, Zhenhua; Zhang, Qingzhu; Li, Yongliang; Yin, Huaxiang; Luo, Jun; Wang, Wenwu; Ye, Tianchun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 64-67. DOI: 10.1109/LED.2022.3223335
3、Photolithographic Patterning of Polypyrrole on Elastic Polydimethylsiloxane for Flexible and Conformal Organic Electronics
Author: Zhang, Tao; Wang, Xue; Tong, Yanhong; Sun, Jing; Zhao, Xiaoli; Liu, Xiaoqian; Han, Xu; Tang, Qingxin; Liu, Yichun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 76-79. DOI: 10.1109/LED.2022.3221521
4、Investigation to the Carrier Transport Properties in Heterojunction-Channel Amorphous Oxides Thin-Film Transistors Using Dual-Gate Bias
Author: Yang, Huan; Zhou, Xiaoliang; Lu, Lei; Zhang, Shengdong

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 68-71. DOI: 10.1109/LED.2022.3223080
5、An Actively-Passivated p-GaN Gate HEMT With Screening Effect Against Surface Traps
Author: Wu, Yanlin; Wei, Jin; Wang, Maojun; Nuo, Muqin; Yang, Junjie; Lin, Wei; Zheng, Zheyang; Zhang, Li; Hua, Mengyuan; Yang, Xuelin; Hao, Yilong; Chen, Kevin J.; Shen, Bo

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 25-28. DOI: 10.1109/LED.2022.3222170
6、Excitation/Inhibition Balancing in 2D Synaptic Transistors With Minority-Carrier Charge Dynamics
Author: Wu, Rongqi; Liu, Xiaochi; Wang, Zhongwang; Jing, Yumei; Yuan, Yahua; Tang, Kui; Dai, Xianfu; Qiu, Aocheng; Jaiswal, Hemendra N.; Sun, Jia; Li, Huamin; Sun, Jian

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 156-159. DOI: 10.1109/LED.2022.3224471
7、2.69 kV/2.11 m Omega center dot cm(2) and Low Leakage p-GaN Stripe Array Gated Hybrid Anode Diodes With Low Turn-on Voltage
Author: Wei, Xing; Shen, Wenchao; Zhou, Xin; Tang, Wenbo; Ma, Yongjian; Chen, Tiwei; Wang, Dawei; Fu, Houqiang; Zhang, Xiaodong; Lin, Wenkui; Yu, Guohao; Cai, Yong; Zhang, Baoshun

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 13-16. DOI: 10.1109/LED.2022.3220600
8、Low Temperature Cu-Cu Bonding Using an Intermediate Sacrificial Sn Layer
Author: Wang, Zilin; Shi, Yunfan; Wang, Zheyao

Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. 2023; Vol. 44, Issue 1, pp. 116-119. DOI: 10.1109/LED.2022.3221375