當(dāng)前位置: 首頁 SCI期刊 SCIE期刊 材料科學(xué) 中科院4區(qū) JCRQ2 期刊介紹(非官網(wǎng))
        Journal Of Inorganic Materials

        Journal Of Inorganic MaterialsSCIE

        國際簡稱:J INORG MATER  參考譯名:無機(jī)材料雜志

        • 中科院分區(qū)

          4區(qū)

        • CiteScore分區(qū)

          Q3

        • JCR分區(qū)

          Q2

        基本信息:
        ISSN:1000-324X
        是否OA:未開放
        是否預(yù)警:否
        TOP期刊:否
        出版信息:
        出版地區(qū):PEOPLES R CHINA
        出版商:Science Press
        出版語言:Chinese
        出版周期:Bimonthly
        出版年份:1986
        研究方向:工程技術(shù)-材料科學(xué):硅酸鹽
        評價信息:
        影響因子:1.7
        H-index:23
        CiteScore指數(shù):2.9
        SJR指數(shù):0.346
        SNIP指數(shù):0.433
        發(fā)文數(shù)據(jù):
        Gold OA文章占比:92.29%
        研究類文章占比:89.88%
        年發(fā)文量:168
        自引率:0.1176...
        開源占比:0.9981
        出版撤稿占比:0
        出版國人文章占比:0
        OA被引用占比:0.0023...
        英文簡介 期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見問題

        英文簡介Journal Of Inorganic Materials期刊介紹

        Published by The Science Press, started in 1986, monthly, 112 pages per issue, the Journal of Inorganic Materials is an academic periodical with English abstracts sponsored by the Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences.

        期刊簡介Journal Of Inorganic Materials期刊介紹

        《Journal Of Inorganic Materials》自1986出版以來,是一本材料科學(xué)優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學(xué)研究結(jié)果,并為材料科學(xué)各個領(lǐng)域的原創(chuàng)研究提供一個展示平臺,以促進(jìn)材料科學(xué)領(lǐng)域的的進(jìn)步。該刊鼓勵先進(jìn)的、清晰的闡述,從廣泛的視角提供當(dāng)前感興趣的研究主題的新見解,或?qū)彶槎嗄陙砟硞€重要領(lǐng)域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時報道材料科學(xué)領(lǐng)域的最新進(jìn)展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預(yù)警期刊名單,目前已被權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄,得到了廣泛的認(rèn)可。

        該期刊投稿重要關(guān)注點(diǎn):

        Cite Score數(shù)據(jù)(2024年最新版)Journal Of Inorganic Materials Cite Score數(shù)據(jù)

        • CiteScore:2.9
        • SJR:0.346
        • SNIP:0.433
        學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
        大類:Materials Science 小類:General Materials Science Q3 277 / 463

        40%

        大類:Materials Science 小類:Inorganic Chemistry Q3 51 / 79

        36%

        CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻(xiàn)計(jì)量指標(biāo)。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫中收集的引文為基礎(chǔ),針對的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于,它可以為學(xué)術(shù)界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法,而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標(biāo)來評價。

        歷年Cite Score趨勢圖

        中科院SCI分區(qū)Journal Of Inorganic Materials 中科院分區(qū)

        中科院 2023年12月升級版 綜述期刊:否 Top期刊:否
        大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū)
        材料科學(xué) 4區(qū) MATERIALS SCIENCE, CERAMICS 材料科學(xué):硅酸鹽 4區(qū)

        中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎(chǔ),運(yùn)用科學(xué)計(jì)量學(xué)方法對國際、國內(nèi)學(xué)術(shù)期刊依據(jù)影響力進(jìn)行等級劃分的期刊評價標(biāo)準(zhǔn)。它為我國科研、教育機(jī)構(gòu)的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學(xué)術(shù)期刊影響力的參考數(shù)據(jù),得到了全國各地高校、科研機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。

        中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標(biāo)劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個層次,類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開始,這個分區(qū)只是為了方便圖書管理及圖書情報領(lǐng)域的研究和期刊評估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的重要工具。

        歷年中科院分區(qū)趨勢圖

        JCR分區(qū)Journal Of Inorganic Materials JCR分區(qū)

        2023-2024 年最新版
        按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
        學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, CERAMICS SCIE Q2 15 / 31

        53.2%

        按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
        學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, CERAMICS SCIE Q3 17 / 31

        46.77%

        JCR分區(qū)的優(yōu)勢在于它可以幫助讀者對學(xué)術(shù)文獻(xiàn)質(zhì)量進(jìn)行評估。不同學(xué)科的文章引用量可能存在較大的差異,此時單獨(dú)依靠影響因子(IF)評價期刊的質(zhì)量可能是存在一定問題的。因此,JCR將期刊按照學(xué)科門類和影響因子分為不同的分區(qū),這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領(lǐng)域和需求選擇合適的期刊。

        歷年影響因子趨勢圖

        本刊中國學(xué)者近年發(fā)表論文

        • 1、Double Dielectric Layer Metal-oxide Memristor: Design and Applications

          Author: You Junqi; Li Ce; Yang Dongliang; Sun Linfeng

          Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 387-398. DOI: 10.15541/jim20220760

        • 2、Research Progress of Flexible Neuromorphic Transistors

          Author: Yang Yang; Cui Hangyuan; Zhu Ying; Wan Changjin; Wan Qing

          Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 367-377. DOI: 10.15541/jim20220700

        • 3、Fabrication and Microstructure of Gd2O2S:Tb Scintillation Ceramics from Water-bath Synthesized Nano-powders: Influence of H2SO4/Gd2O3 Molar Ratio

          Author: Wu Junlin; Ding Jiyang; Huang Xinyou; Zhu Danyang; Huang Dong; Dai Zhengfa; Yang Wenqin; Jiang Xingfen; Zhou Jianrong; Sun Zhijia; Li Jiang

          Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 452-460. DOI: 10.15541/jim20220542

        • 4、Defect-induced Analogue Resistive Switching Behavior in FeOx-based Memristor and Synaptic Paired-pulse Facilitation Feature

          Author: Wang Tongyu; Ran Haofeng; Zhou Guangdong

          Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 437-444. DOI: 10.15541/jim20220721

        • 5、Enhanced Degradation of Methyl Orange with CoFe2O4@Zeolite Catalyst as Peroxymonosulfate Activator: Performance and Mechanism

          Author: Wang Lei; Li Jianjun; Ning Jun; Hu Tianyu; Wang Hongyang; Zhang Zhanqun; Wu Linxin

          Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 469-+. DOI: 10.15541/jim20220591

        • 6、Dual-gate IGZO-based Neuromorphic Transistors with Stacked Al2O3/Chitosan Gate Dielectrics

          Author: Wang Jingyu; Wan Changjin; Wan Qing

          Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 445-451. DOI: 10.15541/jim20220767

        • 7、Intrinsically Stretchable Threshold Switching Memristor for Artificial Neuron Implementations

          Author: Tian Yu; Zhu Xiaojian; Sun Cui; Ye Xiaoyu; Liu Huiyuan; Li Runwei

          Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 413-420. DOI: 10.15541/jim20220712

        • 8、Effect of Plasma Treatment on the Long-term Plasticity of Synaptic Transistor

          Author: Qiu Haiyang; Miao Guangtan; Li Hui; Luan Qi; Liu Guoxia; Shan Fukai

          Journal: JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS. 2023; Vol. 38, Issue 4, pp. 406-412. DOI: 10.15541/jim20220675

        投稿常見問題

        通訊方式:SCIENCE CHINA PRESS, 16 DONGHUANGCHENGGEN NORTH ST, BEIJING, PEOPLES R CHINA, 100717。

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