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        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志北大期刊統(tǒng)計(jì)源期刊

        Research & Progress of SSE Solid State Electronics

        主管單位:中國電子科技集團(tuán)公司 主辦單位:南京電子器件研究所

        • 審稿周期

          1-3個月

        • 影響因子

          0.43

        • 發(fā)文量

          1277

        • 總被引次數(shù)

          2651

        • 全年訂價(jià)

          ¥ 220.00

        • H指數(shù)

          13

        • 立即指數(shù)

          0.0082

        • 引用半衰期

          3.7381

        • 期刊他引率

          0.837

        • 平均引文率

          7.9426

        基本信息:
        ISSN:1000-3819
        CN:32-1110/TN
        主編:楊乃彬
        郵編:210016
        出版信息:
        出版地區(qū):江蘇
        出版周期:雙月刊
        出版語言:中文
        創(chuàng)刊時間:1981
        類別:電子
        收錄信息:
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        榮譽(yù)信息:
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        期刊介紹 歷史收錄 投稿須知 評價(jià)報(bào)告 文獻(xiàn)分析 發(fā)文分析 期刊文獻(xiàn) 常見問題

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展期刊介紹

        《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》是由南京電子器件研究所主辦,中國電子科技集團(tuán)公司主管的全國性電子類期刊,創(chuàng)刊于1981年,刊號(CN 32-1110/TN,ISSN 1000-3819),全年定價(jià):220.00元/期,雙月刊。該雜志以刊登電子科學(xué)論文、評價(jià)電子科研成果、探討電子教學(xué)規(guī)律、傳播電子教學(xué)經(jīng)驗(yàn)、開展電子學(xué)術(shù)討論、報(bào)道電子研究動態(tài)、提供國內(nèi)外電子信息為主旨,引領(lǐng)電子前沿和熱難點(diǎn)問題研究,助電子經(jīng)學(xué)者成長。該刊級別為北大期刊,統(tǒng)計(jì)源期刊,歡迎廣大讀者訂閱。

        《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》期刊欄目主要有:三維集成射頻微系統(tǒng)(專欄) 器件物理與器件模擬 射頻微波與太赫茲 光電子學(xué) 硅微電子學(xué) 材料與工藝 研究簡訊

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展歷史收錄情況

        • 北大核心期刊(2020版)
        • 北大核心期刊(2017版)
        • 北大核心期刊(2014版)
        • 北大核心期刊(2011版)
        • 北大核心期刊(2008版)
        • 北大核心期刊(2000版)
        • 北大核心期刊(1996版)
        • 北大核心期刊(1992版)
        • 中國科技核心期刊
        • 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心(2011-2012)
        • 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-擴(kuò)展(2017-2018)
        • 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-擴(kuò)展(2015-2016)
        • 中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-擴(kuò)展(2013-2014)
        • Scopus數(shù)據(jù)庫
        • 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫
        • 化學(xué)文摘(網(wǎng)絡(luò)版)

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展投稿須知

        (1)文獻(xiàn)引證方式采用注釋體例。注釋用尾注,置于文末。

        (2)作者簡介在稿件首頁地腳。順序列出:姓名(出生年-),性別(民族),籍貫,工作單位及職務(wù),職稱,學(xué)位,學(xué)術(shù)簡歷及研究方向。

        (3)中文摘要為150-300字。摘要的內(nèi)容應(yīng)包括目的、方法、實(shí)驗(yàn)結(jié)果和結(jié)論;綜述性、評論性文章可寫指示性摘要。摘要中不應(yīng)出現(xiàn)“本文、我們、作者”之類的詞語。

        (4)自投稿之日起3個月內(nèi)未接到用稿通知,請自行處理文稿。切忌一稿多投。來稿一般不退,敬請諒解。

        (5)來稿若為課題研究成果,則凡被省級以上單位正式立項(xiàng)的課題,應(yīng)在文中標(biāo)明課題的立項(xiàng)單位、級別、時間和編號等信息。

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展期刊評價(jià)報(bào)告

        年度 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
        影響因子 0.29 0.2 0.22 0.28 0.29 0.28 0.43 0.44
        立即指數(shù) 0.02 0.02 0.05 0.04 0.01 0.07 0.09 0.07
        發(fā)文量 118 105 88 85 87 85 85 90
        引用半衰期 4.26 5.04 5.39 5.42 5.65 5.35 5.17 4.98
        被引半衰期 4.7 5.88 5.06 5.52 5.24 5.36 5.36 4.75
        被引次數(shù) 224 239 244 260 248 207 261 265
        期刊他引率 0.75 0.82 0.85 0.82 0.83 0.82 0.86 0.84
        平均引文率 7.6 2.6 10 10.9 11.6 12.3 13.9 12.3

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展文獻(xiàn)分析

        1、主要引證文獻(xiàn)期刊分析

        序號 期刊 涉及文獻(xiàn)量
        1 《半導(dǎo)體技術(shù)》 209
        2 《微電子學(xué)》 151
        3 《Journal of Semiconductors》 113
        4 《電子與封裝》 109
        5 《電子器件》 85
        6 《電子元件與材料》 78
        7 《現(xiàn)代電子技術(shù)》 57
        8 《微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)》 54
        9 《電子設(shè)計(jì)工程》 53
        10 《微納電子技術(shù)》 49

        2、主要參考文獻(xiàn)期刊分析

        序號 期刊 涉及文獻(xiàn)量
        1 《Journal of Semiconductors》 297
        2 《半導(dǎo)體技術(shù)》 144
        3 《物理學(xué)報(bào)》 132
        4 《微電子學(xué)》 109
        5 《電子學(xué)報(bào)》 105
        6 《微波學(xué)報(bào)》 85
        7 《電子與封裝》 67
        8 《電子器件》 55
        9 《電子元件與材料》 50
        10 《Chinese Physics B》 39

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展主要發(fā)文機(jī)構(gòu)分析

        序號 機(jī)構(gòu)名稱 發(fā)文量 相關(guān)發(fā)文主題
        1 南京電子器件研究所 925 晶體管;電路;放大器;單片;GAAS
        2 東南大學(xué) 317 電路;半導(dǎo)體;放大器;晶體管;集成電路
        3 復(fù)旦大學(xué) 231 電路;功耗;集成電路;低功耗;半導(dǎo)體
        4 中國科學(xué)院 148 晶體管;半導(dǎo)體;分子束;分子束外延;異質(zhì)結(jié)
        5 西安電子科技大學(xué) 116 半導(dǎo)體;電路;金屬氧化物半導(dǎo)體;晶體管;碳化硅
        6 浙江大學(xué) 77 電路;半導(dǎo)體;芯片;金屬氧化物半導(dǎo)體;低功耗
        7 清華大學(xué) 70 電路;集成電路;計(jì)算機(jī);半導(dǎo)體;GAAS
        8 天津大學(xué) 69 隧穿;電路;晶體管;共振隧穿;負(fù)阻
        9 南京大學(xué) 68 發(fā)光;半導(dǎo)體;納米;氮化鎵;GAN
        10 中國科學(xué)院微電子研究所 68 電路;低噪;低噪聲;晶體管;CMOS

        固體電子學(xué)研究與進(jìn)展期刊文獻(xiàn)

        • GaN HFET溝道中的強(qiáng)場峰和場效應(yīng)管能帶 作者:薛舫時; 孔月嬋;微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、南京電子器件研究所; 南京210016
        • P波段1500W GaN功率管設(shè)計(jì) 作者:王琪; 王建浩; 陳韜; 楊建; 李相光; 周書同;南京電子器件研究所; 南京210016
        • Ku波段寬帶GaN固態(tài)功率放大器 作者:喻先衛(wèi); 王仁軍; 韓煦; 徐建華; 成海峰;南京電子器件研究所; 南京210016
        • 基于ANSYS及MATLAB的溫度場分布對半橋型IGBT器件的影響 作者:方佳怡; 劉憲云; 夏麗; 李磊;常州大學(xué)數(shù)理學(xué)院; 江蘇常州213164
        • 基于憶阻器超混沌系統(tǒng)的動力學(xué)分析及電路實(shí)現(xiàn) 作者:仇睿煌; 蔡理; 馮朝文; 楊曉闊;空軍工程大學(xué); 西安710051
        • 基片集成波導(dǎo)限幅器的設(shè)計(jì) 作者:王元慶; 劉蕾蕾;南京電子器件研究所; 南京210016; 南京郵電大學(xué); 南京210003
        • 超寬帶小型印刷對數(shù)周期天線設(shè)計(jì) 作者:李振亞; 竺小松; 張建華;國防科技大學(xué)電子對抗學(xué)院; 合肥230037
        • 一種基于LTCC技術(shù)的高性能微型巴倫濾波器的設(shè)計(jì) 作者:莊智強(qiáng); 戴永勝;南京理工大學(xué)電子工程與光電技術(shù)學(xué)院; 南京210094
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        全年訂價(jià):¥220.00 出版周期:雙月刊

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