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        半導體信息雜志

        半導體信息雜志部級期刊

        Semiconductor Information

        主管單位:中國半導體行業協會分立器件專業協會 信息產業部電子第五十五研究所 主辦單位:中國半導體行業協會分立器件分會;中國電子科技集團公司第五十五研究所

        • 審稿周期

          1個月內

        • 影響因子

          0.01

        • 發文量

          1777

        • 總被引次數

          120

        • H指數

          3

        基本信息:
        郵編:210016
        出版信息:
        出版地區:江蘇
        出版周期:雙月刊
        出版語言:中文
        創刊時間:1990
        類別:電子
        收錄信息:
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        期刊介紹 投稿須知 評價報告 文獻分析 發文分析 期刊文獻 常見問題

        半導體信息期刊介紹

        《半導體信息》是由中國半導體行業協會分立器件分會;中國電子科技集團公司第五十五研究所主辦,中國半導體行業協會分立器件專業協會 信息產業部電子第五十五研究所主管的全國性電子類期刊,創刊于1990年,雙月刊。該雜志以刊登電子科學論文、評價電子科研成果、探討電子教學規律、傳播電子教學經驗、開展電子學術討論、報道電子研究動態、提供國內外電子信息為主旨,引領電子前沿和熱難點問題研究,助電子經學者成長。該刊級別為部級期刊,歡迎廣大讀者訂閱。

        《半導體信息》期刊欄目主要有:企業指南 國內外半導體技術與器件 市場動態

        半導體信息投稿須知

        (1)文末請附作者簡介,注明姓名、工作單位、職務、聯系電話、聯系地址、郵政編碼等信息。

        (2)來稿內容:標題、作者、摘要、關鍵詞、正文、基金項目、注釋、參考文獻、作者簡介。

        (3)題名:簡明、具體、概括文章的要旨,一般不超過20個漢字。題名中應避免使用非公知公用的縮略語、字符、代號以及結構公式。

        (4)采用順序編碼制著錄參考文獻,依照其在正文中出現的先后順序,用阿拉伯數字加方括號標出。參考文獻僅限作者親自閱讀過的主要文獻,其中近5年內的文獻應占50%以上。

        (5)主要摘要文章運用的主要研究方法和所得出的主要結論或闡發的主要觀點,力求文字明確、簡練,一般不超過200字。

        半導體信息期刊評價報告

        年度 2015 2016 2017 2018 2019 2020
        影響因子 194 147 167 161 152 148
        立即指數 2 3.25 2.56 3.4 3.33 4.38
        發文量 0.008 0.013 0.021 0.016 0.018 0.003
        引用半衰期 0 0 0 0 0 0
        被引半衰期 -- -- -- -- -- --
        被引次數 0.005 0 0.006 0.006 0 0
        期刊他引率 -- -- -- -- -- --
        平均引文率 1 1 1 1 1 1

        半導體信息文獻分析

        1、主要引證文獻期刊分析

        序號 期刊 涉及文獻量
        1 《集成電路應用》 12
        2 《新材料產業》 7
        3 《電子元器件與信息技術》 5
        4 《半導體技術》 4
        5 《電子制作》 4
        6 《車輛與動力技術》 3
        7 《科學技術與工程》 3
        8 《電子測量技術》 3
        9 《現代電子技術》 2
        10 《材料與冶金學報》 2

        半導體信息主要發文機構分析

        序號 機構名稱 發文量 相關發文主題
        1 信息產業部 1 用戶數;知識產權;司長;通信;通信產業

        半導體信息期刊文獻

        • 中國集成電路制造利好 重磅免稅政策
        • 中國高端芯片95%以上仍需進口
        • 南京集成電路產業聯盟成立
        • 設計新架構研發新材料 美欲重振芯片產業
        • NXP推出5G用氮化鎵射頻功率產品WIN半導體公司推出0.45柵技術擴展GaN代工工藝
        • 日本富士通公司采用AIGaN間隔層和InAIGaN阻擋層將GaNHEMT的輸出功率提高到19.9W/mm柵寬
        • 美國Integra技術公司推出敵我識別航空電子用高功率氮化鎵晶體管
        • 香港高校和臺灣公司合作將電容器集成到硅上P型氮化鎵柵極晶體管中顯著提高器件性能

        投稿常見問題

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